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获1996-2000年度香港求是杰出青年学者奖、公示2005年国家自然科学二等奖（排名第三）、2012年获何梁何利科技进步奖和2015年周光召基金会基础科学奖。(3)能源利用、批独转化与存储。

从表面配位化学的角度，立储在分子层面上研究复杂的固体材料表界面化学过程，揭示纳米效应的本质。用户2005年从美国加州大学河滨分校化学专业获得博士学位。可控2014年获第六届十佳全国优秀科技工作者称号。

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2005-2007年在加州大学圣芭芭拉分校从事博士后研究，企业2007年回到厦门大学任特聘教授，企业2009年获得国家杰出青年科学基金资助，同年受聘为教育部长江学者特聘教授，2016年6月获中国优秀青年科技人才奖。因此，山西市场我们认为从钙钛矿前驱体到钙钛矿纳米晶或钙钛矿量子点的反应过程，在溶液合成和原位成膜的过程是一致的，反溶剂的作用也是相同的。

【图文导读】图1以DPPA-Br为配体的原位LARP制备流程示意图及纳米晶薄膜的光学性质表征（a）原位LARP制备工艺流程示意图（b）LARP与NCP过程对比（c）不同反溶剂滴加时间制备的纳米晶薄膜的归一化吸收光谱（d）不同反溶剂滴加时间制备的纳米晶薄膜的归一化荧光光谱（e）不同反溶剂滴加时间制备的纳米晶薄膜的荧光量子产率图2钙钛矿纳米晶的晶体结构表征（a）FAPbBr3纳米晶薄膜与块体粉末材料的XRD曲线（b）钙钛矿电致发光器件截面的SEM图像（c）钙钛矿电致发光器件截面的TEM图像（d）钙钛矿纳米晶的TEM图像（e）（f）钙钛矿纳米晶的HRTEM图像和对应的FFT图像图3 钙钛矿纳米晶的激子动力学分析（a）纳米晶薄膜的变温荧光光谱（b）纳米晶薄膜的激子结合能拟合曲线（c）纳米晶薄膜的荧光寿命拟合曲线图4钙钛矿电致发光器件的器件结构及性能表征（a）钙钛矿电致发光器件的器件结构（b）纳米晶薄膜的表面AFM图像（c）器件在不同工作电压下的电致发光光谱（d）器件的电流密度和亮度随电压的变化曲线（e）器件的功率效率和电流效率随电流密度的变化曲线（f）器件的外量子效率随电流密度的变化曲线图5器件的最大电流效率统计图【展望】本文所发展的原位LARP制备工艺，公示是一种非常简单、公示高效的制备高品质钙钛矿纳米晶薄膜的方法。其所具有的高荧光量子产率、批独高亮度、颜色可调、色纯度高等优点，使它成为制备高效发光二极管的后备材料。

2).DPPA-Br配体接枝到纳米晶的表面，立储起到了很好的钝化作用，薄膜的平均荧光寿命为12.7ns。本工作通过对反溶剂滴加时间的精细调控发现，用户在纳米晶即将发生形核之前，用户快速滴加反溶剂，从而引起前驱体液态薄膜的快速达到过饱和状态，诱发钙钛矿纳米晶发生快速形核和生长，最终得到上述高品质的纳米晶薄膜。